碳还原法硅原料(二氧化硅或单质硅)与碳原料(炭黑)混合,在1300~1800℃非氧化气氛中加热进行还原反应,得到碳化硅晶须。气相法有机硅化合物(甲基三氯硅烷)或卤化硅与烃类的混合物,在有还原性气体存在并于1100~1500℃下进行热分解反应,得到高纯碳化硅晶须。氮化硅转化法以氮化硅和碳为原料,在一氧化碳非氧化性气氛中,于1400~1900℃温度下加热进行反应,得到碳化硅晶须。另外还有单质硅与烃在有硫化氢存在的条件下进行反应的方法,亦可得到碳化硅晶须。
碳化硅合成
非售品
CAS:409-21-2
分子式:
SiC
分子量:40.1