碲镉汞(CdxHg1-xTe)是由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化镉和碲化汞组成的三元固溶体半导体。它是一种窄带半导体材料，随着组分x的变化，禁带宽度和其它能带参数也发生变化。其禁带宽度Eg随温度T和组分x变化有如下经验公式：Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。窄带半导体一般都属于能带反转型半导体。对于Cdx、Hg1-xTe，在低温下，当x值较小时，它是一种半金属或禁带宽度为零的半导体。当x增大到一定值时，CdxHg1-xTe就由半金属转变成窄带半导体，产生了能带反转(77K，x=0.15时)，此时电子有效质量变小，电子迁移率增大，从而引起许多物理性质的变化。用碲镉汞制作的红外探测器具有良好的特性，特别是在波长为8～14μm的大气窗口附近，其灵敏度很高，因此它作为良好的激光接收材料而得到了较快的发展。由于碲镉汞是由熔点较高的Ⅱ-Ⅵ族化合物组成.在高温下、镉、汞、碲元素的蒸汽压都很高，因此从熔体中生长的碲镉汞晶体中常常产生严重的组分偏离而影响材料和器件的性能，故改善碲镉汞制备方法，提高其单晶质量仍然是一个重要的研究课题。