【标题】苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较

【作者】徐群杰[1] 陆柱[2] 等

【机构】[1]上海电力学院电化学研究室，国家电力公司热力设备腐蚀与防护重点实验室，上海200090 [2]华东理工大学防腐蚀中心

【摘要】采用光电化学方法和交流阻方法对不同浓度的BTA（苯并三氮唑）和5CBTA（5－羧基苯并三氮唑）在硼砂缓冲溶液（pH9.2)中对铜电极的缓蚀性能作了比较研究，研究发现两者对铜的缓蚀作用机理不同，一定浓度的BTA能使电极表面Cu2O膜的结构改变，在电位正向扫描过程中铜电极光响应由p型转化为n型，并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能，n型光响应越大，缓蚀剂的缓蚀性能越好，而5CBTA能使电极表面的Cu2O膜增多，在电位负向扫描过程中阴极光电流密度明显增大，并可据此判断缓蚀剂的缓蚀性能，阴极光电流密度愈大，缓蚀效果越好，同时这两种缓蚀剂均可用φv和某一较负电位下的阴极光电流密度Jph的大小来判断缓蚀剂的缓蚀性能，φv的Jph越负，缓蚀性能越好，交流阻抗方法的结果和光电化学的结果相一致。

【关键词】苯并三氮唑 5-羧基苯并三氮唑 铜电极 光电化学 交流阻抗 缓蚀剂

【论文】苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较.pdf