CAS： 1306-25-8
分子式： CdTe
分子量： 240.01

中文名称： 碲化镉

英文名称： Cadmium telluride

性质描述：化学式CdTe。分子量240.00。黑色立方系晶体。有毒!熔点1041℃，温度更高即分解，相对密度6.2015。不溶于水、酸，但能与硝酸作用而分解。潮湿时易被空气氧化。制法：由碲、镉单质混合熔化，在氢气流中升华，或镉的亚碲酸盐或碲酸盐在氢气流中加热还原，也可由碲化钠与被醋酸酸化的醋酸镉溶液作用，当从溶液中沉淀出时呈褐红色，干燥后几乎变成黑色，还可用碲化氢作用于镉蒸气，形成碲化镉单晶而得。

生产工艺：
1.将碲与镉按化学计量比混合，在高温下直接化合而得。
2.将碲化氢气体通入镉盐溶液中，使其产生沉淀。通过抽滤、洗涤、干燥，便可得到CdTe产品。

碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。用纯度为99.9999%的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶碲化镉合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。

用途：光谱分析。也用于制作太阳能电池，红外调制器，HgxCdl-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件等。

碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(25℃)80cm2/(V·s)，电子有效质量0.096，电阻率103～107Ω·cm。以高纯碲和镉为原料，脱氧后合成碲化镉，再用垂直定向结晶法或垂直区熔法生长成单晶或多晶。单晶用于制作红外电光调制器、红外探测器、红外透镜和窗口、磷光体、常温γ射线探测器、太阳能电池及接近可见光区的发光器件等，碲化镉太阳能电池，较单晶硅太阳能电池有制作方便，成本低廉和重量较轻等优点。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是重要的半导体材料，高、力学性能差，至今难以制成大直径体单晶，许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)等。